DRAM与NAND闪存领域正出现新动向，SK海力士公布了2026年产品更新计划，并效仿竞争对手三星，放慢下一代HBM4的产能爬坡。

SK海力士原计划于2026年第二季度开始扩大HBM4产能，现已将这一节点推迟至第三季度，以便在此期间继续扩充HBM4产线。推迟原因在于，当前HBM3E需求极为旺盛，SK海力士不得不让HBM3E产线超预期持续运转。其最大客户英伟达据称在“Rubin”芯片的量产上遭遇挑战，对HBM4的急切需求随之延后，而搭载HBM3E的“Blackwell”依旧供不应求。

SK海力士正推进其3D NAND路线图，研发全新的300层、第十代（V10）模块，将采用晶圆对晶圆混合键合技术，计划于2026年在V10试产线上验证该技术，并在2027年开始大规模量产。与目前采用单层晶圆外围电路在下（PUC）方案的321层V9不同，新一代V10 NAND闪存将把存储单元堆叠和外围电路分别制造在不同晶圆上，然后再将它们键合在一起。

这种分离方式可以减少高层堆叠过程中对外围电路造成的热应力和工艺压力，并且由于两片晶圆可以独立加工，有望缩短整体制造周期。然而，这一方法也显著增加了工艺复杂度。晶圆对准和键合必须在数百个芯片范围内达到纳米级精度，这对先进的混合键合设备以及更严格的良率控制提出了更高要求。

尽管长期来看这些计划令人鼓舞，但近期NAND与DRAM行业的产能短缺，并不能依靠2026年末至2027年才上线的新产能来解决。SK海力士表示，一方面会继续投入资本推进V10研发，另一方面正把大量产能转向V9量产，每月将新增数万片12英寸晶圆转向更高层数的产品，以满足企业级SSD日益增长的需求，从而在未来缓解部分供应压力。